IV.7.5.К интегральным схемам...
«Полупроводниковый период» на «Востоке» можно условно разбить на несколько этапов. Первый (середина 60-х) связан с созданием основ полупроводниковой технологии. В этот период выпускаются первые полевые транзисторы разных модификаций. Далее на основе конструкции и технологии их изготовления начинается создание интегральной электроники — твердотельных и гибридных микросхем. Число элементов на одном кристалле постепенно увеличивается — от схем с малой и средней степенью интеграции до больших и сверхбольших интегральных схем (БИС, СБИС). Успехи в создании схем с высокой и сверхвысокой степенью интеграции делают возможным на одном и том же кристалле одновременно размещать элементы логики и памяти — создаются микропроцессоры, большие интегральные схемы, выполняющие функции простейших вычислительных устройств. (Первый микропроцессор на «Востоке» будет создан в конце 80-х.)
12 июля 1974 года вышел знаменательный для «Востока» приказ министра электронной промышленности, где высоко оценивалась работа института, подтверждалась правильность выбранного направления, а кроме того давалось «добро» на полное техперевооружение предприятия и реконструкцию со строительством нового производственного корпуса.
«Восток» получил оборудование для производства полупроводниковых интегральных схем (комплект фотолитографии, технохимии, диффузии, установку вакуумного и ионного напыления, установку совмещения и экспонирования, прецизионную фотонаборную установку, фотоповторитель и проч.). С середины 70-х институт начал разрабатывать изделия, отвечающие последним требованиям научно-технического прогресса своего времени.
В первых рядах специалистов и разработчиков новых технологических процессов периода полупроводников и микроэлектроники были: С.П. Жолобов — главный инженер предприятия, технический руководитель работ по созданию дискретных транзисторов и интегральных микросхем, Б.Г. Петренко — один из ведущих разработчиков, в дальнейшем один из организаторов производства изделий электронной техники по специализации предприятия, зам. гендиректора по производству, а также Г.А. Дейс, А.П. Сименштейн, Е.Г. Скуратов, Н.А. Топчилов, Б.Г. Тепман, А.А. Касихин, В.И. Овчаренко, И.Г. Домахин, Е.В. Букреев, В.С. Данилов, В.В. Калиников, Л.А. Тарабрин, В.А. Коронов, В.Г. Штыров, Ю.В. Матыко, А.Ф. Андрианов, В.В. Соколов, В.И. Минаев, В.А. Канакин, Ю.П. Дягилев, С.И. Наймарк, Ю.А. Рогаткин, А.Н. Кутловский, Л.К. Климова, В.И. Жильцов, В.Г. Десятков, В.С. Карбаева, Ю.Н. Карпов, Н.И. Гаврюшкина, Т.Ф. Попова и др.
